Phison推出用于176层NAND的E18闪存控制器
Phison Electronics Corp是NAND闪存控制器集成电路和存储解决方案的全球领导者，今天宣布向制造商合作伙伴发货其PS5018-E18 PCIe Gen4控制器，并提供新的176层替换门NAND。新.．.
闪光
QNAP推出30盘全闪存TS-h3088XU-RP NAS
QNAP®Systems, Inc.，一家领先的计算、网络和存储解决方案创新者，今天宣布了高性能和容量，30个bay SATA全闪存TS-h3088XU-RP NAS。内置双端口25GbE SFP28 SmartNIC，可PCIe扩展，最高可达.．.
SK海力士推出业界最多层176层4D NAND闪存
SK海力士(SK hynix) 11日宣布，完成了业界最多层176层512千兆(Gb)三层电池(TLC) 4D NAND闪存的开发。公司上个月将样品提供给控制公司，以便制作.．.
金士顿推出128GB容量的DataTraveler 2000加密USB
金士顿数字欧洲有限公司是金士顿技术公司的闪存子公司，是存储产品和技术解决方案的世界领导者，今天宣布推出128 GB DataTraveler 2000加密USB.．.
Sabrent推出全球首款8tb M.2 NVMe固态硬盘
与基于tlc的存储相比，Sabrent Q ssd可以打包更多的数据，在相同的占用空间中最多可增加两倍的容量。体验一个更快，更酷，更安静的计算机。该驱动器经过调优，可提供容量优化的NVMe.．.
KIOXIA美国首次推出UFS Ver. 3.1嵌入式闪存设备
KIOXIA公司的美国子公司KIOXIA美国公司(原东芝存储器美国公司)进一步巩固了其作为下一代移动设备存储领先供应商的地位，今天宣布它已经开始取样.．.
ADATA推出SE760外置固态硬盘
ADATA技术，高性能DRAM模块，NAND闪存产品和移动配件的领先制造商今天宣布推出ADATA SE760外部固态硬盘(SSD)。SSD具有时尚小巧的特点.．.
三星推出第三代“Flashbolt”HBM2E内存
三星电子，世界领先的先进内存技术，今天宣布市场推出“Flashbolt”，其第三代高带宽内存2E (HBM2E)。新的16gb (GB) HBM2E特别适合最大限度地提高高性能.．.
JEDEC发布通用闪存存储(UFS)标准更新
JEDEC固态技术协会是微电子行业标准开发的全球领导者，今天宣布发布通用闪存(UFS) 3.1版，JESD220E。此外，可选的新同伴.．.
Kioxia公司推出第五代BiCS FLASH
Kioxia公司，世界领先的存储解决方案，今天宣布成功开发了第五代BiCS FLASH三维(3D)闪存，具有112层垂直堆叠结构。Kioxia计划开始运送样品.．.
东芝内存推出XL-FLASH存储类内存解决方案
东芝内存公司的美国子公司东芝内存美国公司(TMA)今天宣布推出新的存储级内存(SCM)解决方案:XL-FLASH。基于公司创新的BiCS FLASH 3D闪存.．.
SK海力士开始量产全球首款128层4D NAND芯片
SK海力士(SK Hynix) 26日表示，继推出96层4D之后，8个月后，开发出了世界上首款128层1tb (Terabit) TLC (Triple-Level Cell) 4D NAND闪存，并开始量产.．.
SK海力士开始取样96层4D QLC NAND闪存
SK海力士公司(SK Hynix Inc.)今天宣布，它已经向主要的SSD(固态硬盘)控制器公司交付了新的1Tb (Terabit) QLC(四级电池)产品样品。本公司将自身的QLC技术应用于.．.
英特尔Optane H10 - QLC NAND闪存和X-Point在一个单一的SSD
英特尔今天公布了带有固态存储的英特尔Optane内存H10的细节，这是一款将英特尔Optane技术的卓越响应能力与英特尔四级单元(QLC)的存储容量相结合的创新设备。.．.
东芝将BiCS FLASH支持的UFS添加到嵌入式汽车内存产品阵容中
东芝内存公司是全球内存解决方案的领导者，今天宣布它已经开始使用3D闪存对新的汽车JEDEC UFS版本2.1嵌入式内存解决方案进行采样。新产品是嵌入式闪存.．.