东芝内存公司的美国子公司东芝内存美国公司(TMA)今天宣布推出新的存储级内存(SCM)解决方案:XL-FLASH。XL-FLASH基于公司创新的BiCS FLASH 3D闪存技术，具有每单元1位SLC，为数据中心和企业存储带来低延迟和高性能。样品将于9月开始发货，预计2020年开始大规模生产。
XL-FLASH被归类为SCM(或持久存储器)，具有像NAND闪存一样保留其内容的能力，弥补了DRAM和NAND之间的性能差距。虽然像DRAM这样的易失性内存解决方案提供了高要求应用程序所需的访问速度，但这种性能的代价很高。随着DRAM的每比特成本和可伸缩性逐渐降低，内存层次结构中的这个新的SCM(或持久内存)层通过高密度、成本有效、非易失性NAND闪存解决方案解决了这个问题。行业分析公司IDC估计，到2022年，SCM市场预计将超过30亿美元。
介于DRAM和NAND闪存之间，XL-FLASH带来了更快的速度，更低的延迟和更高的存储容量-比传统DRAM成本更低。XL-FLASH最初将以SSD格式部署，但可以扩展到位于DRAM总线上的内存通道连接设备，例如未来行业标准的非易失性双列直插内存模块(nvdimm)。
关键特性
- 128千兆(Gb)芯片(2-模，4-模，8-模封装)
- 4 KB的页面大小，更有效的操作系统读写
- 16平面架构，更有效的并行
- 快速的页面读取和编程时间。XL-FLASH提供了小于5微秒的低读取延迟，大约比现有TLC快10倍
作为NAND闪存的发明者，第一个宣布3D闪存技术和进程迁移的领导者，东芝内存的理想定位是提供基于SLC的SCM，具有成熟的制造，经过验证的可扩展性和经过时间考验的SLC可靠性。
东芝美国内存事业部高级副总裁兼总经理Scott Nelson指出:“通过XL-FLASH，我们为超大规模和企业服务器/存储提供商提供了更具成本效益、更低延迟的存储解决方案，弥补了DRAM和NAND性能之间的差距。”“我们也为新兴技术和行业标准打开了大门，这些技术和标准将为低延迟闪存解决方案提供不同的形式。SCM是企业存储的下一个前沿，我们作为世界上最大的闪存供应商之一，使XL-FLASH比竞争对手的SCM解决方案具有成本/性能优势。”
