SK海力士15日表示，继去年推出96层4D NAND闪存8个月后，开发出了世界首款128层1tb (Terabit) TLC (Triple-Level Cell) 4D NAND闪存，并开始量产。
128层1tb NAND芯片提供了业界最高的垂直堆叠，超过3600亿个NAND单元，每个芯片存储3个比特。为此，SK海力士将“超均匀垂直蚀刻技术”、“高可靠性多层薄膜电池形成技术”、超高速低功耗电路设计等创新技术应用于自己的4D NAND技术。
新产品为TLC NAND闪存提供了业界最高的1tb密度。SK海力士等多家企业已经开发出1tb QLC(四层电池)NAND产品，但首次实现1tb TLC NAND闪存商用化的是SK海力士。TLC以优异的性能和可靠性占据NAND闪存市场的85%以上。
SK海力士4D NAND的最大优势是芯片尺寸小，因此可以实现超高密度的NAND闪存。该公司于2018年10月宣布了创新的4D NAND，将3D CTF (Charge Trap Flash)设计与PUC (Peri。Cell)技术。
通过同样的4D平台和工艺优化，SK海力士能够将制造工艺总数减少5%，同时在现有的96层NAND上再堆叠32层。因此，与之前的技术迁移相比，96层NAND向128层NAND过渡的投资成本降低了60%，显著提高了投资效率。
128层1 Tb 4D NAND与公司的96层4D NAND相比，每片晶圆提高了40%的比特生产率。
SK海力士计划从今年下半年(7 ~ 12月)开始销售128层4D NAND闪存，并继续推出各种解决方案。
凭借其在单个芯片中的四平面架构，该产品在1.2 V下实现了1,400 Mbps(兆比特/秒)的数据传输速率，实现了高性能和低功耗的移动解决方案和企业SSD。
SK海力士计划在明年上半年(1 ~ 6月)面向主要智能手机旗舰客户开发新一代UFS 3.1产品。有了128层1tb NAND闪存，目前智能手机最大容量1tb (Terabyte)产品所需的NAND芯片数量将比512gb NAND减少一半;它将为客户提供一个1毫米薄的移动解决方案，耗电量减少20%。
三星电子还计划在明年上半年(1 ~ 6月)开始批量生产带有内部控制器和软件的2tb客户端SSD。明年还将推出用于云数据中心的16tb和32tb NVMe (Non-Volatile Memory express)固态硬盘。
SK海力士负责全球销售和营销的执行副总裁Jong Hoon Oh表示:“凭借128层4D NAND, SK海力士确保了NAND业务的基本竞争力。“有了这款产品，凭借业内最好的堆叠和密度，我们将在合适的时间为客户提供各种解决方案。”
SK海力士正在开发新一代176层4D NAND闪存，并计划通过技术优势继续加强NAND业务的竞争力。
