三星电子，世界领先的先进内存技术，今天宣布推出“Flashbolt”，其第三代高带宽内存2E (HBM2E)。新的16g (GB) HBM2E特别适合最大化高性能计算(HPC)系统，并帮助系统制造商及时推进他们的超级计算机、人工智能驱动的数据分析和最先进的图形系统。
三星电子负责内存销售和营销的执行副总裁Cheol Choi表示:“随着目前可用的最高性能DRAM的推出，我们正在迈出关键一步，以加强我们在快速增长的高端内存市场中作为领先创新者的角色。”“三星将继续履行其承诺，提供真正差异化的解决方案，加强我们在全球内存市场的优势。”
新Flashbolt的容量是上一代8gb HBM2“Aquabolt”的两倍，还大幅提高了性能和能效，以显著改善下一代计算系统。16gb的容量是通过在缓冲芯片上垂直堆叠8层10nm级(1y) 16g (GB) DRAM芯片实现的。然后，这个HBM2E包以超过40000个“穿过硅通孔”(TSV)微凸块的精确排列连接在一起，每个16Gb的模具包含超过5600个这样的微孔。
三星的Flashbolt利用专利优化的信号传输电路设计，提供了3.2千兆每秒(Gbps)的高度可靠的数据传输速度，同时提供了410 GB/s的存储带宽。三星的HBM2E还可以达到4.2 Gbps的传输速度，这是迄今为止测试的最大数据速率，在某些未来的应用程序中，支持每个堆栈高达538 GB/s的带宽。这比Aquabolt的307 GB/s提高了1.75倍。
三星电子计划在今年上半年开始批量生产。该公司将继续提供其第二代Aquabolt系列产品，同时扩大其第三代Flashbolt产品，并将进一步加强与下一代系统生态系统合作伙伴的合作，加速在整个高端内存市场向HBM解决方案过渡。
