NAND Flash Controller集成电路和存储解决方案的全球领导者Phison Electronics Corp今天宣布其PS5018-E18 PCIE Gen4 Controllers的运送给制造商，并与新的176层替换门NAND交付。
新的E18与176层配对，在Phison产品堆栈中填补了迄今为止绩效最高的E18的关键作用。该有效组合可提供多达7,400 MB/s的顺序读取和7,000 Mb/s顺序写入。
最大的收益在随机读取潜伏期中到达，新的高级层显示出比以前的模型在低队列深度下的性能提高了35％，从而改善了用户在系统响应方面的体验。新的E18提供了同类消费者SSD的最佳游戏负载时间。
TPU有机会测试此驱动器，我们发布了评论这里。
“我们与技术合作伙伴紧密合作，提供高级产品，以主导游戏加载时间的游戏。E18与行业领先的176层媒体相结合，使PCIE GEN4公共汽车在用户体验中所感受到的绩效过高。
176层替换门体系结构NAND结合了电荷陷阱与CMOS-suder-Array（CUA）设计。与上一代96层NAND相比，Flash的死亡尺寸小约30％，并且读写性能增加了35％。
如今，来自著名的第三方测试网站的审稿人将释放PS5018-E18的全部性能，再加上领先的NAND制造商的176层内存，该内存利用1600mt/s的总线来创造新的性能世界记录。
Phison使用专有Coxprocessor 2.0技术设计了有效TSMC 12 nm工艺节点的E18。这为SSD制造商提供了最先进的控制器解决方案，以构建高度优化的产品。E18提供了1600mt/s媒体巴士的承诺，为高性能台式机和新引入的PCIE GEN4笔记本电脑提供最佳的用户体验。
苛刻的用户寻找最高性能，无论平台如何，新的Phison E18与176层内存都可以找到它。
Phison将在Computex虚拟贸易展上展示其新的基于E18的产品，预计42,000名与会者于6月1日至2021年6月5日。
