Kioxia公司,世界领导人在内存解决方案,今天宣布,它已成功开发第五代BiCS FLASH三维(3 d)闪存112 -层垂直堆叠结构。Kioxia计划船样的新设备,有512千兆(64 gb)容量与3-bit-per-cell (triple-level细胞,TLC)技术,为特定的应用程序在2020年第一季度。新设备旨在满足日益增长的要求各种各样的应用程序,包括传统的移动设备,消费者和企业ssd,新兴应用程序启用新5 g网络,人工智能和自主车辆。
展望未来,Kioxia将其第五代过程新技术应用于大容量设备,具有(128 gb) 1 t比特信息能力等具有4-bit-per-cell TLC和1.33 t比特信息能力(quadruple-level细胞,QLC)设备。
Kioxia 112 -层叠加的创新工艺结合先进的电路和制造工艺技术,增加单元阵列密度约20%在96 -层叠加的过程。新技术降低成本,增加内存容量的可制造性/硅片。此外,它改善了界面速度50%,提供更高的编程性能和较短的阅读延迟。
自宣布世界上第一个原型2007年3 d闪存技术,Kioxia继续推进开发3 d闪存,正积极推动BiCS flash来满足需求与小模尺寸更大的能力。
第五代BiCS FLASH与技术和制造伙伴共同开发西部数据公司。它将由Kioxia新建北上川北侧四日市的工厂和工厂。
