三星启动第三代“ flashbolt” HBM2E内存

2020年2月5日 0

三星电子高级内存技术领导者三星电子今天宣布了其第三代高带宽内存2E(HBM2E)的市场推出。新的16 g型(GB)HBM2E非常适合最大程度地提高高性能