三星Electronics Co., Ltd., the world leader in advanced semiconductor technology, today announced its new High Bandwidth Memory (HBM2E) product at NVIDIA’s GPU Technology Conference (GTC) to deliver the highest DRAM performance levels for use in next-generation supercomputers, graphics systems, and artificial intelligence (AI).
新解决方案FlashBolt是该行业的第一个HBM2E，每销量每秒钟传递3.2千兆位（GBPS）的数据传输速度，该速度比上一代HBM2快33％。Flashbolt的密度为每个死亡的16GB，是上一代的容量的两倍。通过这些改进，单个Samsung HBM2E软件包将提供每秒410 GB的数据带宽和16 GB的内存。
Samsung Electronics的存储产品计划和应用程序工程团队高级副总裁Jinman Han表示：“ Flashbolt的行业领先绩效将为下一代数据中心，人工智能，机器学习和图形应用程序提供增强的解决方案。”“我们将继续扩大我们的高级DRAM产品，并改善我们的'高性能，高容量和低功率'记忆细分市场，以满足市场需求。”
