SK海力士(以下简称“SK海力士”www.skhynix.com) 6日表示，在业界率先开发出了目前业界最大的内存容量为24gb (GB)2的12层HBM3产品，并表示正在对样品进行客户性能评价。
HBM(高带宽存储器)：一种高价值、高性能存储器，可垂直互连多个DRAM芯片，与传统DRAM产品相比，可显著提高数据处理速度。HBM3是4th一代产品，继前几代HBM, HBM2和HBM2E
SK海力士方面表示:“继去年6月世界上第一个HBM3批量生产后，成功开发出了容量比前一代产品增加50%的24GB封装产品。”随着人工智能(ai)聊天机器人产业对高端内存产品的需求不断增加，从下半年开始可以向市场供应新产品。”
SK海力士工程师通过在最新产品中应用Advanced Mass Reflow molding Underfill (mrm - muf)技术，提高了工艺效率和性能稳定性，而Through Silicon Via (TSV)技术将单个DRAM芯片的厚度减少了40%，达到了与16GB产品相同的堆栈高度水平。
MR-MUF(大量回流模压下填料)：一种将多个芯片放置在下面的基板上并通过回流一次粘合它们，然后同时用模具材料填充芯片之间或芯片与基板之间的间隙的方法。
TSV(通硅孔)：在高级封装中使用的一种互连技术，通过垂直穿过DRAM芯片上数千个细孔的电极将上、下芯片连接起来。集成该技术的SK海力士HBM3每秒最高可处理819GB，即一秒钟内可传输163部全高清(Full-HD)电影。
SK海力士于2013年首次开发的HBM，在高性能计算(HPC)系统上实现生成式人工智能(generative AI)的过程中发挥了关键作用，受到了存储芯片业界的广泛关注。
特别是最新的HBM3标准，被认为是快速处理大量数据的最佳产品，因此被全球主要科技公司采用的情况正在增加。
SK海力士将24GB HBM3产品的样品提供给了对该产品寄予厚望的多家客户，目前正在对该产品进行性能评价。
SK海力士封装测试部部长尚厚洪(音)表示:“SK海力士凭借在后端过程中使用的领先技术，连续开发出了超高速、高容量的HBM系列产品。”三星电子计划在上半年内完成批量生产准备工作，进一步巩固在人工智能时代尖端DRAM市场的领先地位。”
