世界领先的先进存储技术(DRAM)企业三星电子(株)4日表示，已开始批量生产基于极紫外(EUV)技术的业界最小的14纳米(nm) DRAM。继去年3月该公司发货业界首个EUV DRAM后，三星已将EUV层数增加到5层，为其DDR5解决方案提供当今最好、最先进的DRAM工艺。
三星电子DRAM产品技术负责人、高级副总裁Jooyoung Lee表示:“在近30年的时间里，我们一直领导着DRAM市场。”“今天，三星通过多层EUV设置了另一个技术里程碑，实现了14nm的极端小型化，这是传统的氟化氩(ArF)工艺无法实现的壮举。在这一进展的基础上，我们将继续提供最差异化的内存解决方案，充分满足5G、AI和元宇宙等数据驱动世界对更大性能和容量的需求。”
随着DRAM不断缩小到10nm范围，EUV技术对于提高图形精度以获得更高的性能和更高的产量变得越来越重要。通过在其14nm DRAM上应用5层EUV层，三星获得了最高的比特密度，同时提高了约20%的整体晶圆生产率。此外，与上一代DRAM节点相比，14nm工艺可以降低近20%的功耗。
利用最新的DDR5标准，三星的14纳米DRAM将帮助解锁高达7.2千兆每秒(Gbps)的前所未有的速度，这是DDR4高达3.2千兆每秒速度的两倍多。
三星计划扩大其14nm DDR5产品组合，以支持数据中心、超级计算机和企业服务器应用。另外，为了更好地满足全球信息技术(IT)系统快速增长的数据需求，三星电子计划将14nm的DRAM芯片密度提高到24Gb。
