三星开始量产最先进的14nm EUV DDR5 DRAM

世界先进存储技术的领导者三星电子有限公司今天宣布,它已经开始批量生产业界最小的14纳米(nm)基于极紫外(EUV)技术的DRAM。继该公司于去年3月推出业界首款EUV DRAM后,三星已将EUV层的数量增加到5层,以为其DDR5解决方案提供当今最好、最先进的DRAM工艺。

三星电子高级副总裁兼DRAM产品与技术负责人Jooyoung Lee表示:“近三十年来,我们一直以关键图案技术创新为先导,引领DRAM市场。”。“今天,三星正在通过多层EUV树立另一个技术里程碑,该技术实现了14纳米的极端微型化——这是传统氟化氩(ArF)所不可能实现的壮举。”过程。在这一进步的基础上,我们将继续提供最具差异性的内存解决方案,充分满足5G、AI和metaverse等数据驱动世界对更高性能和容量的需求。”

随着DRAM不断缩小10nm范围,EUV技术对于提高图形精度以获得更高性能和更高产量变得越来越重要。通过在其14nm DRAM上应用五层EUV层,三星实现了最高的位密度,同时将整体晶圆生产率提高了约20%。此外,与上一代DRAM节点相比,14nm工艺有助于将功耗降低近20%。

利用最新的DDR5标准,三星的14nm DRAM将帮助解锁前所未有的高达7.2Gbps(Gbps)的速度,这是DDR4高达3.2Gbps速度的两倍多。

三星计划扩大其14纳米DDR5产品组合,以支持数据中心、超级计算机和企业服务器应用。此外,三星希望将其14nm DRAM芯片密度提高到24Gb,以更好地满足全球IT系统快速增长的数据需求。

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