三星电子有限公司,世界领先的先进的内存技术,今天宣布它已经开始大规模生产行业最小的14-nanometer (nm), DRAM基于极端紫外线(EUV)技术。公司的装运后产业界首次EUV DRAM去年3月,三星的数量增加了EUV层到五今天提供最好的,最先进的DRAM DDR5解决方案过程。
我们让DRAM市场近三年来通过开创性的关键模式技术创新,“高级副总裁Jooyoung Lee说,三星电子的DRAM产品和技术主管。“今天,三星是设置的另一个技术里程碑多层EUV使得极端小型化14 nm -一个壮举不可能与传统的氩氟(ArF)过程。在这种进步的基础上,我们将继续提供最分化完全解决方案的内存寻址需要更高的性能和容量的数据驱动的世界5 g, AI和metaverse。”
随着DRAM继续缩小10纳米之间,EUV技术变得越来越重要的改进模式精度更高的性能和更大的收益。通过应用五EUV层14 nm DRAM,三星取得了最高位密度,而生产力则提高整个晶圆了大约20%。此外,14 nm过程可以帮助降低能耗20%相比上一代DRAM节点。
利用最新的DDR5标准,三星的14 nm DRAM将有助于解开前所未有的速度高达7.2吉比特每秒(Gbps),这比3.2 Gbps的DDR4速度的两倍。
三星计划扩大其14 nm DDR5组合支持数据中心,超级计算机和企业服务器应用程序。同时,三星预计增长其14 nm DRAM芯片密度24 gb更好满足迅速增长的全球IT系统的数据需求。
