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SK海力士宣布HBM3 DRAM的发展

SK海力士公司宣布,它已成为业内第一个成功开发高带宽内存3、全球表现最好的DRAM。HBM3 HBM的第四代技术结合多个DRAM芯片垂直连接,是一种高价值产品,创新提高数据处理速度。

的最新发展,这是大规模生产的开始HBM2E去年7月,预计将有助于巩固公司在市场上的领导地位。SK海力士也是业内第一HBM2E开始大规模生产。SK海力士的HBM3不仅是世界上最快的DRAM,但也有最大的能力和水平显著提高质量。

最新的产品可以处理多达819 GB每秒(g),这意味着163年FHD(全高清)电影(每5 GB)可以在一个单一的传送。这代表了数据处理速度与HBM2E相比增加78%。它还纠正数据(点)错误的帮助下内置on-die纠错代码,显著提高产品的可靠性。


SK海力士的HBM3能力将提供两种类型的24 GB和16 GB——该行业的最大。24 GB产品,SK海力士工程师地面DRAM芯片的高度大约30微米,相当于三分之一的A4纸的厚度、垂直叠加前12芯片使用通过硅通过技术。

HBM3预计将主要采用高性能数据中心以及机器学习平台,提高人工智能水平和超级计算性能用来进行气候变化分析和药物开发。

”推出以来,世界上第一个HBM DRAM, SK海力士成功地发展该行业的领先后的第一个HBM3 HBM2E市场,“Seon-yong Cha说,执行副总裁负责DRAM的发展。“我们将继续努力,巩固高端内存市场的领导和帮助提高我们的客户通过提供产品的价值与环境、社会和治理管理标准”。

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