新的高容量三级电池（TLC）NAND提供有效的高性能存储
新闻亮点 - 16NM TLC NAND
- 在成本，容量和性能方面提供集中的平衡。
- 实现与MLC NAND相同的容量，并节省28％的死亡区域。
- 用于重视性能和可靠性的应用程序，但每GB的成本是首要考虑因素，包括USB驱动器和消费者固态驱动器。
Micron Technology，Inc。（NASDAQ：MU）宣布了其广泛的Flash Storage产品组合的新成员，为寻求高性能和可靠性的成本敏感消费应用程序提供了专门构建的解决方案。新的TLC NAND建立在其16纳米（NM）过程的基础上，并为USB驱动器和消费者固态驱动器等应用提供了平衡的功能。TLC的市场胃口预计在整个2015年都很强大，几乎占整体千兆字节的一半。一世
Micron的16NM流程是由TechInsights认识到最具创新性的存储器和2014年度半导体的 - 是一种成熟而验证的存储技术，使其成为可靠的TLC设计的绝佳基础。TLC或三级单元格是一项适合每个闪存数据单元中三位的技术，创造了更高的成本和尺寸效率。
该技术的客户将受益于Micron广泛的设计支持团队，他们是可信赖的顾问，以确保合格和最佳的终点绩效。全球关键的Flash客户和生态系统合作伙伴已经开始致力于将新NAND与最新设计集成在一起，从而确保在最终应用程序中快速采用。
“我们的新TLC NAND技术满足了对可靠的高容量存储的不断增长的需求，” Micron NAND Planning总监Kevin Kilbuck说。“我们将16NM TLC视为2015年消费者应用程序的绝佳解决方案，因为我们在2016年向3D NAND TLC生产开车。”
新的TLC部分增加了Micron的综合闪存产品组合，该产品涵盖了四个流程的世代和多种技术，以确保几乎可以想象到的任何应用程序（从消费者和移动设备到企业，嵌入式，嵌入式和汽车市场）进行集中解决方案。新的16GB TLC NAND正在生产中，现在可以使用。Micron一直在抽样多个合作伙伴，这将使基于该技术的消费者SSD解决方案能够在今年秋天上市。Micron还希望在该时间范围内发布自己的基于TLC的客户SSD。
资源：微米
