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微米作为PCIe NVMe宣布9200系列ssd

美光科技有限公司(纳斯达克:μ)今天介绍微米NVMe ssd的9200系列,该公司最新的旗舰性能的固态存储家庭。创新体系结构和行业领先9200微米ssd的性能允许组织更快地访问数据,保持领先一步的关键业务工作负载和飙升的数据日益增长的多样性的要求。

新的微米9200 SSD结合3 d NAND的具有成本效益的能力与证明NVM的吞吐量和响应时间表达(NVMe)协议。从头构建的删除遗留的硬盘接口,微米的第二代NVMe驱动释放了固态非易失存储器的速度最大化数据中心效率最优的总拥有成本(TCO)。

“NVMe SSD的微米9200系列是专门设计提供超级快的速度,低延迟,和高容量需要处理大量文件,图像和多媒体资产由今天的复杂应用程序工作负载,”Eric Endebrock说副总统SSD和系统、存储业务单元,美光科技有限公司“9200微米SSD添加到我们的SSD剧本,我们为客户提供丰富的存储解决方案来管理他们的投资组合,不断变化的业务需求。”

9200微米的容量和性能ssd能使数据中心存储更多,做更多的事,知道更多关于他们的数据。创新架构结合NVMe协议在9200年作为PCIe连接使得微米SSD快速交付企业flash性能- 10 x速度比市场上的典型的SATA SSD,同时节约电力和齿条与3 d NAND高密度存储空间。[我]此外,9200微米的第一NVMe ssd的市场容量超过10 tb,满足患者的需求,即使是最storage-hungry用例在一个有吸引力的成本/ g。

“NVMe通过扩展的数量减少了I / O开销同时存储命令,一个驱动可以执行,“马特·金博尔说,高级分析师,沼泽的见解和策略的服务器和存储。“已经放缓其市场接受的价格点和可靠性技术。技术就像那些从微米显示承诺消除这些障碍,这将是向前迈出的重要一步减少I / O延迟对于内存密集型工作负载”。

满足您的工作负载
今天的业务正变得越来越复杂,要求更快的决策和规模越来越大的数据集的分析仍然具有竞争力。结果,越来越多的强调密集的数据中心,确保可靠性和数据持久性,和扩展存储基础设施,在不增加延迟。

这些组织与高容量和高性能数据需求,固态存储技术3 d NAND和NVM表达层次企业提供技术基础。混合最好的这些技术的企业存储、微米9200 ssd的理想的高性能、高容量的用例作为数据库应用程序/加速度,OLTP,高频交易(高频交易)和高性能计算(HPC)。例如,对最近的竞争对手相比的容量和性能在OLTP数据库工作负载,9200微米11结核病ECO SSD,快45%,超过容量的两倍。

9200微米SSD家庭设计为微米SolidScale存储的基础平台,提供更大的能力更高效的工作负载优化和降低TCO。9200年,SolidScale能够超过250 tb /节点,比例超过5 pb /架的最高性能NVMe今天SSD可在共享存储。这些新的高性能NVMe驱动加速应用程序和注入新的生命和敏捷性老化的基础设施,为当今的企业提供关键功能:

  • 加速应用ssd -微米9200交付顺序读/写转移加速到5.5和3.5 GB / s。随机读/写传输速度达到900 k和275 k IOPS将数据转化为信息与低延迟和高的性能。
  • 优化现有的基础设施——微米的专用闪存解决方案很容易部署和交付底线价值和效率,业务和IT操作。
  • 负责——优化和规模大,服务器和存储设计能力11结核病,在行业标准卷,即使是最存储饥饿的用例。
  • 得到内心的宁静——企业提供完整的端到端数据路径保护、断电保护以保证您的数据安全。
  • 减少你的成本/ IOPS -微米9200 ssd实现低成本/ IOPS连同它的低延迟和更快的性能。相比,一个典型的高端HDD成本1美元/ IOPS,微米SSD与NVMe提供大量节约成本约为0.01美元/ IOPS。
  • FlexCapacity -分配存储,以满足应用程序和预算要求。
  • 满足负载的耐力要求-微米9200提供了一个广泛的耐力水平对于今天的大多数要求的工作负载。

来源:TechPowerUp

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