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三星电子公布计划到2027年1.4 nm制程技术

三星电子,世界先进的半导体技术的领导者,今天宣布加强商业策略的铸造与尖端技术的引入在其年度三星铸造论坛活动。

与巨大的市场增长在高性能计算(HPC)、人工智能(AI), 5/6G连接性和汽车应用,先进半导体需求急剧增加,使创新半导体工艺铸造客户的商业成功的关键。为此,三星强调其承诺将其最先进的工艺技术,1.4纳米(纳米),在2027年大规模生产。

事件期间,三星也概述了步骤铸造业务正在为了满足客户的需求,包括:铸造过程技术创新、△工艺优化为每个特定的应用程序,稳定的生产能力,为客户定制的服务。

“技术发展目标降至1.4 nm和铸造平台专门为每个应用程序,和稳定的供应通过一致的投资都是三星的战略的一部分,获得客户的信任和支持他们的成功,”Si-young Choi博士说,总统和三星电子的铸造业务主管。“实现每一位客户与我们的合作伙伴的创新一直是我们的核心铸造服务。”

展示三星高级节点的路线图在2027年下降到1.4纳米
与公司的成功将最新的3 nm制程技术的大规模生产,三星将进一步加强gate-all-around(棉酚)的基础技术和计划推出2 nm过程在2025年和2027年1.4 nm制程。

虽然开拓过程技术,三星也加速发展的2.5 d / 3 d异构集成包装技术在铸造提供完整的系统解决方案服务。通过不断创新,其三维包装X-Cube micro-bump互连将在2024年准备大规模生产,和bump-less X-Cube将于2026年上市。

比例的HPC、汽车和5克到2027年将超过50%
三星积极计划目标等高性能和低功率半导体市场HPC,汽车、5 g和物联网(物联网)。

为了更好地满足客户的需求,定制和定制的过程介绍了节点在今年的铸造论坛。三星将增强其GAA-based 3 nm制程对HPC和移动的支持,同时进一步多元化4海里过程为HPC和汽车应用专业。

专门为汽车客户,三星目前提供嵌入式非易失性内存(eNVM)基于28 nm制程技术的解决方案。为了支持汽车可靠性,该公司计划进一步扩大过程节点通过推出14 nm eNVM解决方案在2024年和添加8海里eNVM在未来。三星已经大规模生产8射频后14 nm射频和5 nm射频目前正在发展。

“Shell-First”经营战略及时响应客户需求
三星计划扩大其生产能力的高级节点的三倍到2027年与今年相比。

包括泰勒的新工厂在建设中,德克萨斯州,三星的铸造生产线目前在五个地点:Giheung,韩国华城和韩国的平泽市;和奥斯汀和泰勒在美国。

事件,三星详细的“Shell-First”战略能力投资,建设无尘室第一无论市场条件。无尘室一应俱全,工厂设备可以安装后,根据需要灵活设置符合未来的需求。通过新的投资战略,三星将能够更好地响应客户的需求。

投资计划在一个新的“Shell-First”生产线泰勒,第一行去年宣布后,以及潜在的三星全球半导体生产网络的扩张也被引入。

扩大安全生态系统加强定制服务
后,“三星铸造论坛”,三星将举行“安全论坛”(三星先进铸造生态系统)10月4日。新的铸造技术与生态系统合作伙伴和策略将包括等领域电子设计自动化(EDA)、IP、外包半导体装配和测试(OSAT),设计解决方案合作伙伴(DSP)和云。

除了70合作伙伴介绍,三星设计平台团队领导人将引入的可能性三星的流程设计技术等共同申请棉酚和2.5 d / 3 dic。

截至2022年,三星提供超过4000 IPs与56个合作伙伴,也是配合九和22个伙伴和EDA设计解决方案,分别。它还提供云服务与9个伙伴与10个伙伴和包装服务。随着生态系统合作伙伴,三星提供集成服务,支持的解决方案从集成电路设计到2.5 d / 3 d包。

通过其强大的安全生态系统,三星计划识别新制程客户通过与改进的性能加强定制服务,快速的交货和价格竞争力,同时积极吸引新客户如hyperscalers和初创企业。

开始在美国(San Jose) 10月3日举行的“三星铸造论坛”将按顺序在欧洲(德国慕尼黑)7日,日本(东京)18日和韩国(首尔)20日,通过为每个地区将定制的解决方案。记录的事件将从21网上对于那些无法亲自出席。

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