世界领先的先进存储技术企业三星电子在“2022年闪存峰会”和“2022年三星存储技术日”上承诺，将开始批量生产业界最高比特密度的1tb (Tb)三层单元(TLC)第8代垂直NAND (V-NAND)。1Tb的新V-NAND还具有迄今为止最高的存储容量，在全球下一代企业服务器系统中支持更大的存储空间。
三星电子闪存产品与技术执行副总裁SungHoi Hur表示:“由于市场对更密集、更大容量存储的需求推动了更高的V-NAND层数，三星采用了先进的3D缩放技术，以减少表面积和高度，同时避免通常在缩放时发生的单元间干扰。”“我们的第8代V-NAND将有助于满足快速增长的市场需求，并使我们更好地提供更多差异化的产品和解决方案，这将是未来存储创新的基础。”
通过显著提高每个晶圆的比特生产率，三星能够达到业界最高的比特密度。三星电子的第8代V-NAND基于最新的NAND闪存标准Toggle DDR 5.0接口*，其输入和输出(I/O)速度最高可达2.4千兆每秒(Gbps)，比上一代提高了1.2倍。这将使新的V-NAND能够适应PCIe 4.0以及之后的PCIe 5.0的性能要求。
第8代V-NAND有望成为存储配置的基石，帮助扩大下一代企业服务器的存储容量，同时将其应用扩展到可靠性尤为关键的汽车市场。
