三星电子有限公司,世界领先的先进的半导体技术,今天宣布它正在致力于铸造创新和服务三星铸造论坛2019年美国为硅社区提供广泛的更新技术的进步,今天和明天的最苛刻的应用程序的支持。
在加州圣克拉拉市举行的活动,今天,三星高管和行业专家审查进展半导体技术和铸造平台解决方案,使人工智能(AI)的发展,机器学习,5 g网络、汽车、物联网(物联网),先进的数据中心和许多其他领域。
“我们站在第四次工业革命的边缘,一个新的时代进步的高性能计算和连接地球上每个人的日常生活,“ES荣格博士说,总统和三星电子的铸造业务主管。
“三星电子硅完全理解,实现强大的和可靠的解决方案不仅需要最先进的制造和包装流程以及设计的解决方案,而且协作foundry-customer关系建立在信任和共同愿景。今年的铸造论坛充斥着令人信服的证据,我们对在这些领域取得进展,我们荣幸的主机和交谈与我们行业最优秀和最聪明,”荣格博士补充说。
新3 nm GAE此后0.1版本已经准备好了
三星3 nm Gate-All-Around(棉酚)的过程,3 gae开发是正轨。公司今天指出,流程设计工具(此后)4月3 gae 0.1版本已经发布,帮助客户早日开始设计工作,使改进的设计竞争力以及减少周转时间(乙)。
7纳米技术相比,三星3 gae过程的目的是提供一个低功耗芯片面积减少45%,50%或35%更高的性能。GAA-based过程节点预计将广泛采用在下一代应用程序中,如手机、网络、汽车、人工智能(AI)和物联网。
基于纳米线需要大量的常规棉酚栈由于其小的有效通道宽度。另一方面,三星的专利版的棉酚,MBCFET (Multi-Bridge-Channel场效应晶体管),使用一个nanosheet架构,使每堆栈更大的电流。
而FinFET结构必须调节鳍的数量一个离散的方法,通过控制nanosheet MBCFET提供了更大的设计灵活性宽度。此外,MBCFET兼容FinFET过程意味着两个可以共享相同的制造技术和设备,加速过程开发和生产过程。
三星最近录音3 gae测试车辆设计和重点是改善其性能和功率效率。
推出一个新的SAFE-Cloud程序
作为持续努力的一部分,支持和加强客户的整个设计流程,三星电子推出了三星先进铸造生态系统云(云安全)计划。它将为客户提供更灵活的设计环境与重大的公共云服务提供商合作,如亚马逊网络服务(AWS)和微软Azure,以及领先的电子设计自动化(EDA)的公司,包括节奏和Synopsys对此。
到目前为止,大多数铸造客户设计建造和管理基础设施在自己的服务器上。SAFE-Cloud程序减少这种负担和支持更容易,更快和更高效的设计努力通过提供一个优秀的交钥匙设计环境与广泛的过程信息(此后,设计方法),EDA工具,设计资产(IP、库)和设计服务。
客户可以放心的他们需要尽可能多的服务器和存储空间,以及一个安全的环境优化的芯片设计,由于三星电子验证安全云的安全性、适用性和可扩展性。
利用安全的云平台,三星能够加速的发展7和5 nm细胞库与Synopsys对此合作。此外,三星,Gaonchips -韩国一家专业设计公司和节奏已经成功地完成了基于该平台的设计验证。
”进行前期投资在高性能计算(HPC)服务器和系统可以是一个挑战对于我们这样的公司来说,“董Kyu荣格说,Gaonchips的首席执行官。“SAFETM-Cloud给我们提供了一个非常灵活的设计环境,而无需额外的基础设施投资,以及减少设计答。我期望这个项目给我们提供更多切实的业务和技术利益和整个生产线行业。”
技术路线图和先进的包装更新过程
三星的路线图包括四个FinFET-based过程从7到4 nm利用极端紫外线(EUV)技术以及3 nm棉酚,或MBCFET。
在今年下半年,三星将开始6 nm制程设备的大规模生产和完成4海里的发展过程。
三星5 nm FinFET的产品设计过程,开发4月份,预计将在今年下半年完成,在2020年上半年的大规模生产。
扩展公司的FD-SOI (FDS)过程和eMRAM一起一组扩展的最先进的包装解决方案也公布了今年的铸造论坛。28 fds继承者的发展过程中,18 fds和eMRAM 1 gb容量将在今年完工。
