三星电子,世界先进的内存技术的领导者,今天宣布它已经开始大规模生产行业首个512 g (GB) eUFS(嵌入式通用闪存)3.1旗舰智能手机使用。交付之前的512 gb的写入速度三倍eUFS 3.0手机内存,三星的新eUFS 3.1打破了1 gb / s智能手机存储的性能阈值。
“与我们介绍最快的移动存储、智能手机用户将不再需要担心他们面临的瓶颈与传统储存卡,“崔Cheol说道内存销售与市场执行副总裁在三星电子。3.1“新eUFS反映了我们继续致力于支持迅速增加了今年全球智能手机制造商的需求。”
的顺序写入速度超过1200 mb / s,三星512 gb 3.1 eUFS拥有两倍以上的速度SATA-based PC (540 mb / s)和超过十倍的速度UHS-I microSD卡(90 mb / s)。这意味着消费者可以享受一个超薄笔记本当存储大量文件的速度像8 k视频或几百个大型照片在他们的智能手机,没有任何缓冲。将内容从旧的电话转移到新设备还需要相当的时间更少。新的eUFS 3.1的手机只需要1.5分钟移动100 gb的数据而UFS 3.0的手机需要超过4分钟。
的随机性能,512 gb eUFS 3.1过程比广泛应用UFS 3.0版本快60%,发行100000每秒输入/输出操作(IOPS)读取和70000 IOPS写道。
随着512 gb的选择,三星也将256 g和128 g的能力用于旗舰智能手机将于今年晚些时候推出。
三星开始批量生产第五代V-NAND新西安,中国行(X2)本月完全满足存储需求在整个旗舰和高端智能手机市场。该公司很快计划转变V-NAND批量生产在韩国的平泽市行(P1)从第五代、第六代V-NAND到更好的解决日益增长的需求。
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