韩国的DRAM和闪存芯片巨头SK海力士更新其产品目录功能最新GDDR6记忆,除了HBM2。公司4月宣布首次GDDR6内存产品。第一个GDDR6 SK海力士内存芯片的有8 Gb (1 Gb)密度,14个Gbps的数据速率和12 Gbps, DRAM电压为1.35 v。公司赠送少量的这些芯片产品开发、大规模生产将很快开始,大部分可用性是定于2017年第四季度。这意味着实际产品实现这些芯片可能只有很晚2017年第四季度,或q1 - 2018。
显卡与14 Gbps GDDR6记忆在256位内存总线(8片)448 GB / s的内存带宽特性。一张卡片与384位(12片),应该有672 GB / s的处理。同样,12 Gbps内存芯片提供256位384 GB / s(8个)设置,和576 GB / s的384位(12-chip)设置。与此同时,SK海力士还更新其HBM2目录功能32 Gb (4 g) HBM2堆栈,1.60 Gbps的时钟速度。2.00 Gbps堆栈中的第四季度- 2016年版本的目录是不再可用。1.60 Gbps, GPU和四个栈的内存带宽819.2 GB / s。芯片与两个堆栈,如“维加10”原型,多次媒体露面,因此有409.6 GB / s。
来源:SK海力士通过Techpowerup
