SK海力士(以下简称“该公司”，www.skhynix.com)表示，本月开始批量生产以10nm制程技术的第四代1anm为基础的8gb (Gb) *LPDDR4移动DRAM。
半导体业界将10nm DRAM产品按照字母进行分类，1a技术是继1x、1y、1z三代之后的第四代技术。SK海力士计划从2021年下半年开始向智能手机企业提供最新的移动DRAM产品。
SK海力士在生产1ynm DRAM时，部分采用了尖端光刻技术，证明了其稳定性，因此首次将EUV设备用于批量生产。
随着技术不断向超微水平迁移，越来越多的半导体公司正在采用EUV设备进行光刻工艺，在晶圆表面绘制电路图案。业界专家认为，半导体企业在技术上的领先地位将取决于如何充分利用EUV设备。SK海力士计划在今后所有1anm DRAM产品的生产中都使用EUV技术，因为该工艺的稳定性得到了验证。
SK海力士期待通过新技术提高生产效率，并进一步提高成本竞争力。该公司预计，与之前的1znm节点相比，1anm技术将使相同尺寸晶圆生产的DRAM芯片数量增加25%。SK海力士预测，随着全球DRAM需求的增加，1anm DRAM也有望缓解全球市场的供需状况。
该产品可以稳定运行在标准LPDDR4移动DRAM规范中最快的传输速率4266Mbps，并且降低了20%的功耗。这是SK海力士作为环境、社会、治理(ESG)经营承诺的一部分，致力于减少二氧化碳排放的重大成果。
SK海力士计划从明年年初开始，将1anm技术应用到2020年10月推出的世界首款下一代DRAM产品“DDR5”上。
SK海力士副社长赵永曼表示:“随着生产效率和成本竞争力的提高，1anm DRAM不仅可以确保高利润，而且还可以早日将EUV光刻技术用于量产，巩固SK海力士作为技术领先企业的地位。”
