SK海力士在世界上首次推出了96层512Gb CTF (Charge Trap Flash)的4D NAND闪存。不要被这个名字欺骗了——它仍然是基于3D TLC技术，但SK海力士已经加入了第4维，因为它的电荷陷阱闪光技术与PUC (Peri。在电池技术。
SK海力士表示，他们的方法(显然)比全行业的3D浮门方法更好。与公司的72层512Gb 3D NAND芯片相比，4D NAND芯片的尺寸减少了30%以上，每片比特生产率提高了49%。此外，该产品的写性能提高了30%，读性能提高了25%。此外，它的数据带宽增加了一倍，达到业界领先的64KB(大小)。数据I/O(输入输出)速度达到1200mbps(兆/秒)在1.2 V。
除了SK海力士的控制器和固件之外，该公司还计划推出容量高达1tb的消费产品;企业固态硬盘将在2019年上半年跟进，但Sk海力士仍将在2019年推出96层1tb TLC和QLC存储芯片。
NAND市场部副总裁J.T. Kim表示:“这款基于96层ctf的4D NAND，具有行业顶级的成本竞争力和性能，将成为公司NAND闪存业务的里程碑，作为开发未来产品的平台。”他补充说:“公司计划在今年内开始早期量产，并进一步扩大在M15的生产，以积极应对各种客户。”
