SK海力士公司今天宣布,它已经开发了1 znm 16 gb (gb) DDR4 DRAM(双倍数据率4)。16 gb是该行业最大的单个芯片密度的总内存容量/晶片也是最大的现有后发展出。这个产品的生产力提高了27%与上一代相比,1纳米。它不需要非常昂贵的极端紫外线(EUV)光刻技术,使它的成本竞争优势。
新1 z nm DRAM还支持一个3200 Mbps的数据传输速率,这是最快的数据处理速度DDR4接口。公司显著增加其功率效率,成功地降低功耗40%相比模块相同的密度由1 y nm 8 Gb内存。
特别是,SK海力士应用一种新的物质生产过程中未使用的上一代,最大化的电容1 znm产品。电容,电容可以存储的电荷量,是DRAM的关键元素的操作。还引入了一个新的设计来提高操作稳定性。
“1 znm DDR4 DRAM行业拥有最高的密度、速度、效率和功率,使其成为最好的产品满足客户不断变化的需求寻求高性能/高密度DRAM,”Lee Jung-hoon说1 z TF DRAM开发&业务负责人。“SK海力士将在明年开始大规模生产和大规模交付积极应对市场需求。”
SK海力士计划扩大1 znm技术过程各种各样的应用程序,如LPDDR5、下一代移动DRAM和HBM3, DRAM是最快的。
