适用于PCIe 4.0和PCIe 5.0 SSD产品。
我迫不及待地想看到这些超快的速度来到ssd…特别是当它们配置在RAID模式:O
从TPU三星正准备在下一代V-NAND(第7代)中部署他们在NAND密度方面的最新创新。三星表示，它正在准备利用V-NAND的更高密度(每个芯片176层，而第6代高达136层)和PCIe 4.0和PCIe 5.0的吞吐量的产品。这当然意味着更高密度的驱动器可用，以及整体$/GB等式的减少。由于三星的垂直集成(意味着他们是少数几家可以内部设计和生产所有SSD组件的公司之一)，该公司还在开发下一代NAND控制器，可以利用2000 MT/s的传输速率，从而“优化了多任务处理大工作量”。
三星预计能够将V-NAND扩展到1000层以上，这与SK海力士的说法相去甚远，SK海力士只谈到了理论上的600层NAND配置。虽然176层的7代V-NAND现在才进入量产和产品开发的最后阶段，但三星已经推出了第8代V-NAND的首批产品，其特点是“超过200层”。很可能三星的1000层声称实际上是在十年(s?)的时间框架内展望未来，在大约的未来实际上并不是值得期待的事情。
