三星电子,世界领先的先进的内存技术,宣布新V-NAND(垂直NAND)内存解决方案和技术,将解决下一代数据处理和存储系统的迫切需求。跨许多行业快速增长的数据密集型应用程序使用人工智能技术和物联网技术(物联网),闪存的作用已成为加快速度极其关键信息可以实时分析提取。
首届三星理工大学,今年的闪存峰会,三星是展示解决下一代数据处理挑战围绕公司的最新V-NAND技术和固态硬盘(ssd)的数组。这些解决方案将使今天的最前沿最数据密集型的任务,如高性能计算、机器学习、实时分析和并行计算。
“我们的新高度发达,V-NAND技术将提供更聪明的解决方案更大的价值,提供高数据处理速度,提高系统的可伸缩性和超低延迟对于今天的大多数要求基于云的应用程序中,“Gyoyoung金说,执行副总裁和三星电子内存业务主管。“我们将继续创新先锋flash通过利用我们的专业知识在先进3 d-nand内存技术来显著提高信息丰富的数据处理。
三星的预示着时代1-Terabit (Tb) V-NAND芯片
三星宣布1 tb V-NAND芯片,预计明年可以。最初提到的2013年,在发布行业首个3 d NAND,三星一直在努力使其核心内存技术具有的能力在一个芯片上实现一个t比特信息能力使用V-NAND结构。
明年的到来1 tb V-NAND芯片将使在一个V-NAND包2 tb的内存叠加16 1 tb死了,将代表最重要的一个记忆过去十年的发展。
NGSFF(下一代小形式)SSD改善服务器的存储容量和IOPS
三星是抽样行业第一个16-terabyte (TB) NGSFF SSD,这将大大提高记忆存储容量和IOPS(每秒输入/输出操作)今天的1 u服务器。测量30.5毫米110毫米x 4.38毫米,三星NGSFF SSD hyper-scale数据中心服务器提供了大大提高空间利用率和缩放选项。
利用新的NGSFF驱动而不是M.2驱动器在1 u服务器可以增加系统的存储容量4倍。突出优势,三星证明参考服务器系统提供了在1 u 576 tb,使用36 16 tb NGSFF ssd。1 u参考系统可以处理大约1000万个随机读取IOPS,三元组的IOPS性能1 u服务器配备了2.5英寸的ssd。拍字节容量可以达到使用576 tb的只有两个系统。
三星计划开始大规模生产出第一批NGSFF ssd在今年第四季度,标准化工作期间与行业合作伙伴的形式因素。
Z-SSD:优化需要快速记忆的系统响应能力
去年引进其Z-SSD技术后,三星推出了其第一Z-SSD产品,SZ985。以超低延迟和高性能,Z-SSD将用于数据中心和企业系统处理非常大,数据密集型任务,比如实时“大数据”分析和高性能服务器缓存。三星是与几个客户合作整合Z-SSD在即将到来的应用程序。
三星SZ985只需要15微秒的延迟时间是大约七分之一的读过NVMe * * * SSD的延迟。在应用程序级别,使用三星Z-SSDs可以减少系统响应时间达12倍,相比使用NVMe ssd。
以其快速响应时间,新的Z-SSD将发挥关键作用在消除存储瓶颈在改善企业和所有权的全部成本(TCO)。
新方法与专有存储键值SSD技术
三星还引入了一个全新的技术称为键值SSD。名字指的是一个高度创新的方法处理复杂的数据集。大幅增加使用社交媒体服务和物联网应用,有助于创建对象数据如文本、图像、音频和视频文件,处理这些数据的复杂性大大增加。
今天,ssd广泛范围大小的对象数据转换成数据片段的具体尺寸,称为“块。“这些块的使用需要实现过程包括LBA(逻辑块寻址)和PBA(物理块寻址)的步骤。然而,三星的新键值SSD技术允许SSD处理数据,而不将它转换成块。三星的键值,而不是分配一个“关键”或特定位置每个“价值”或对象数据——无论其大小的块。关键使直接寻址的数据位置,进而使存储扩展。三星的键值技术可以扩大ssd(垂直)和扩展(水平)的性能和容量。因此,数据被读取或写入时,键值SSD可以减少多余的步骤,从而导致更快的数据输入和输出,以及增加TCO和大幅延长了SSD的生活。
来源:Techpowerup
