世界顶级存储技术企业三星电子(株)6日表示，在业界首次开发出了第3代10纳米级(1z-nm) 8千兆(Gb)双数据速率4 (DDR4) DRAM。在开始量产第二代10nm级(1y-nm) 8Gb DDR4的短短16个月里，在没有使用极端紫外线(EUV)处理的情况下，1z-nm 8Gb DDR4的开发进一步推动了DRAM扩展的极限。
随着1z-nm成为业界最小的内存处理节点，三星电子推出了生产效率比之前的1y-nm版本提高20%以上的DDR4 DRAM，准备应对日益增长的市场需求。为适应2020年推出的新一代企业服务器和高端个人电脑(pc)， 1z纳米级8Gb DDR4将于今年下半年开始批量生产。
“我们致力于突破技术领域最大的挑战，这一直推动着我们进行更大的创新。三星电子DRAM产品技术部常务李正培(音)表示:“很高兴再次为确保最高性能和能源效率的新一代DRAM的稳定生产奠定了基础。”三星电子的目标是，在打造1z-nm DRAM产品线的同时，支持全球客户部署尖端系统，使高端内存市场得以扩散。”
三星1z纳米DRAM的开发为全球IT加速向下一代DRAM接口(如DDR5、LPDDR5和GDDR6)过渡铺平了道路，这些接口将推动未来数字创新的浪潮。后续的1z-nm产品具有更高的容量和性能，三星电子将增强业务竞争力，并巩固其在服务器、图形和移动设备等应用领域的高端DRAM市场的领导地位。
在与CPU制造商进行8g (GB) DDR4模块的全面验证后，三星将积极与全球客户合作，交付一系列即将到来的内存解决方案。
三星电子计划，根据目前的产业需求，增加平泽工厂的主要内存生产比重，并与全球信息技术(IT)客户合作，以满足对尖端DRAM产品的需求。
