三星Electronics Co., Ltd., the world leader in advanced memory technology, today announced that it has brought the latest software innovations to the company’s most cutting-edge PCIe Gen4 solid state drive (SSD) series, opening up a new paradigm in SSD performance.
Samsung Electronics Memory Solution Product和Development执行副总裁Kye Hyun Kyung表示：“随着我们在高级SSD市场的扩展，我们将突破性速度和能力与革命性软件解决方案相结合。”“我们计划介绍由我们最先进的（第六代）V-n和帮助触发全球IT市场增长的更多创新。”
3软件创新创建针对超高容量数据中心SSD的新范式
The three software innovations include: 1) ‘fail-in-place (FIP) technology’ that ensures a ‘never-die’ SSD, 2) ‘virtualization technology’ that provides independent virtual workspaces for multiple users, and 3) ‘V-NAND machine learning technology’ that utilizes big data to accurately verify data validity even when operating at ultra-high speeds.
三星的FIP技术标志着60年的存储历史上的一个新里程碑，以确保SSD即使在芯片级别出现错误时保持正常运行，这是该行业中首次从未弄错的SSD。过去，几百个NAND芯片中只有一个失败意味着必须更换整个SSD，从而导致系统停机时间和额外的驱动器更换成本。与三星FIP软件集成的SSD可以检测出故障的芯片，扫描数据中的任何损坏，然后将数据重新放置为工作芯片。例如，如果在30.72 TB SSD中的512 NAND芯片中的任何一个中都确定了故障，则FIP软件将在芯片级别上自动激活错误处理算法，同时保持驱动器的高稳定性能。
三星的SSD虚拟化技术允许将单个SSD细分为最多64个较小的SSD，为多个用户提供独立的虚拟工作区。利用此软件，云存储提供商可以将其服务扩展到更多具有相同资源的用户，以优化产品竞争力。虚拟化技术还使SSD可以承担服务器CPU通常执行的一些虚拟化任务，例如单重I/O虚拟化（SR-IOV）（SR-IOV），需要更少的服务器CPU和SSD，从而减少服务器足迹的范围总体IT效率提高。
该公司的V-NAND机器学习技术有助于准确预测和验证细胞特征，并通过大数据分析检测电路模式之间的任何变化。这可以确保出色的数据可靠性，因为增加的SSD速度在通过极快的电压脉冲通过读取和验证数据方面构成了挑战。具有超过100层的四位NAND构建的SSD，比三位数NAND需要更精确的单元控制，能够在机器学习中生成服务器和数据中心存储系统所需的更高级别的性能，容量和可靠性软件。
今天表现最高的NVME SSD-Samsung PM1733和PM1735
三星上个月开始大规模生产其下一代PCIE GEN4基于GEN4的PM1733和PM1735 SSD，其速度是Gen3 SSD的两倍，利用了公司的三种核心软件技术。例如，12.8 TB PCIE GEN4 NVME SSD（PM1735）提供了近14倍的基于SATA的SSD的顺序性能，其中8 GB/s用于读取操作，3.8 GB/s用于写作。随机速度以1,450,000 IOPS的读数为1,450,000，写入260,000个IOPS。此外，PM1733提供了支持服务器和存储应用程序的单端口和双端口选项，以及多流写入和SR-IOV。
两个NVME SSD系列提供了19种型号，有两个形式 - 2.5英寸（U.2）和HHHL（卡类型） - 容量从0.8 TB到30.72 TB，以适合全球OEMS的多样化需求。这些驱动器还确保在五年内每天持续一三个驱动器写入（DWPD）。
三星计划很快将其创新软件技术的应用扩展到更广泛的服务器和数据中心SSD中，以积极满足全球客户的需求并进一步增强其在高级存储市场中的优势。
