Rambus宣布DDR5 RAM的潜伏期低,速度为5600 mt/s

Rambus,今天宣布它现在将对主要DDR5内存模块(RDIMM)供应商进行对5600 MT/S 2nd Generation RCD芯片进行采样。这种新的性能水平代表比第一代4800 mt/s rambus ddr5 rcd的数据速率提高17%。通过关键创新,Rambus能够以较低的延迟和功率提供5600 mt/s的性能,同时优化定时参数以改善RDIMM利润率。

IDC计算半导体研究副总裁Shane Rau说:“高级工作量推动了对更大记忆带宽的需求。”“至关重要的是,像Rambus这样的DDR5生态系统参与者继续提高性能的标准,以满足数据中心应用程序的快速上升。”

RAMBUS首席运营官Sean Fan表示:“ RCD是DDR5服务器DIMM的关键任务推动者,它提供了下一代数据中心所需的带宽和容量。”“达到5600 mt/s的数据速率是我们在DDR5内存界面产品中持续领导的最新演示。”

使用DDR5内存,DIMM内置了更多的智能,从而使数据速率增加一倍,并且是DDR4 DIMM的容量的四倍,同时降低功率并提高内存效率。Rambus内存界面芯片是实现下一代服务器的新性能水平的关键。

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