美光科技(Micron Technology, Inc.)今天宣布，它正在向智能手机制造商和芯片组合作伙伴发送其1β (1-beta) DRAM技术的合格样品，并已通过世界上最先进的DRAM技术节点实现量产准备。该公司正在推出其低功耗双数据速率5X (LPDDR5X)移动内存的下一代处理技术，最高速度等级为每秒8.5 Gb。该节点在性能、比特密度和电源效率方面取得了显著的提高，将带来广泛的市场效益。除了移动，1β还提供低延迟、低功耗、高性能DRAM，这对于支持从智能车辆到数据中心的高响应应用程序、实时服务、个性化和体验情境化至关重要。
作为世界上最先进的DRAM工艺节点，1β代表了该公司在2021年1α (1-alpha)批量出货中巩固的市场领导地位的进步。该节点提供了大约15%的电源效率提高和超过35%的比特密度提高，每个芯片容量为16Gb。美光技术与产品执行副总裁Scott DeBoer表示:“我们的1-beta DRAM的推出标志着存储器创新的又一次飞跃，我们的专利多模式光刻技术结合了领先的工艺技术和先进的材料能力。”“这个节点提供了世界上最先进的DRAM技术，每个内存晶片的比特数比以往任何时候都多，为开创从边缘到云端的新一代数据丰富、智能和节能技术奠定了基础。”
这一里程碑也紧跟在美光7月份发布全球首款232层NAND之后，该NAND的架构旨在推动前所未有的性能和存储面积密度。凭借这些新的第一，美光继续在内存和存储创新方面为市场设定步伐——这都是由于该公司在前沿研发(R&D)和制造工艺技术方面的深厚根基。
随着LPDDR5X的采样，移动生态系统将率先受益于1β DRAM的显著收益，这将解锁下一代移动创新和先进的智能手机体验，同时消耗更少的电力。凭借1β的速度和密度，高带宽用例将在下载、启动和同时使用数据饥渴的5G和人工智能(AI)应用程序期间响应和流畅。此外，基于1β的LPDDR5X不仅可以提高智能手机摄像头启动、夜间模式和人像模式的速度和清晰度，还可以实现无抖动、高分辨率8K视频录制和直观的手机视频编辑。
1β进程技术的低功耗每比特消耗为智能手机提供了目前市场上最节能的存储技术。这使得智能手机制造商能够设计出电池寿命更长的设备——这一点至关重要，因为消费者希望在使用耗电、数据密集型应用程序时延长电池寿命。
在这款基于1β的LPDDR5X上实现了新的JEDEC增强动态电压和频率缩放扩展核心(eDVFSC)技术，从而实现了节能。eDVFSC增加了高达3200兆/秒的两倍频率层，提供了改进的节能控制，基于独特的终端用户模式实现更有效的电力使用。
美光公司用先进的光刻技术和纳米制造技术挑战物理定律
美光的业界首创1β节点以更小的占地面积提供更高的内存容量，从而降低每位数据的成本。DRAM扩展很大程度上是指每平方毫米半导体区域提供更多更快的内存的能力，这需要缩小电路，以便在大约指甲大小的芯片上容纳数十亿个存储单元。在过去的几十年里，半导体行业每隔一年或二十年就会缩小每一个工艺节点的器件数量;然而，随着芯片变得越来越小，在晶圆上定义电路模式需要挑战物理定律。
虽然业界已经开始转向使用极紫外光来克服这些技术挑战的新工具，但美光已经利用其成熟的前沿纳米制造和光刻技术来绕过这一新兴技术。要做到这一点，需要应用该公司专有的先进多图案技术和沉浸式功能，以最高精度对这些微小特征进行图案处理。这种减少带来的更大容量也将使智能手机和物联网设备等小尺寸设备能够在紧凑的空间中容纳更多内存。
为了获得1β和1α的竞争优势，美光在过去几年中还积极推进其卓越的制造、工程能力和开创性的研发。这种加速创新首先使美光的1α节点比竞争对手领先一年，这在公司历史上首次确立了美光在DRAM和NAND领域的领导地位。多年来，美光进一步投资数十亿美元，将其晶圆厂改造成领先的、高度自动化的、可持续的和人工智能驱动的设施。这包括对美光在日本广岛的工厂的投资，该工厂将大规模生产1β DRAM。
1-beta为一个更加互联、可持续的世界奠定了无处不在的基础
随着机器对机器通信、人工智能和机器学习等耗能用例的普及，节能技术越来越成为企业的关键需求，尤其是那些希望达到严格的可持续发展目标并降低运营费用的企业。研究人员发现，训练一个人工智能模型的碳排放量是一辆美国汽车(包括其制造)寿命周期的5倍。此外，预计到2030年，信息和通信技术将使用全球20%的电力。
美光的1β DRAM节点为互联世界的发展提供了一个多功能的基础，这个世界需要快速、无处不在、高效节能的内存来推动数字化、优化和自动化。在1β上制造的高密度、低功耗内存可以在数据饥渴的智能设备、系统和应用程序之间实现更节能的数据流，以及从边缘到云的更智能。在接下来的一年里，该公司将开始在嵌入式、数据中心、客户端、消费者、工业和汽车领域的1β上增加其投资组合的其余部分，包括图形内存、高带宽内存等。
