Micron Technology，Inc。今天宣布了使用世界上最先进的DRAM过程技术制造的1α（1-Alpha）节点DRAM产品的数量运输，并为位密度，功率和性能提供了重大改进。这个里程碑加强了Micron的竞争力量，并与世界上最快的图形记忆和176层NAND的最快图形记忆和最新的突破相辅相成。
“这一1α节点成就证实了Micron在DRAM方面的卓越表现，这是Micron对尖端设计和技术的不懈承诺的直接结果，” Micron技术和产品执行副总裁Scott Deboer说。“随着与以前的1Z DRAM节点相比，记忆密度提高了40％，这种进步将为未来的产品和内存创新创造坚实的基础。”
Micron计划今年在其DRAM产品组合中整合1α节点，以支持所有使用DRAM的环境。这项新的DRAM技术的应用程序广泛且遥遥无期，从移动设备到智能车辆的所有功能。
Micron继续在多个市场领域进行记忆领导力势头。
“Our new 1α DRAM technology will enable the industry’s lowest-power mobile DRAM as well as bring the benefits of our DRAM portfolio to data center, client, consumer, industrial and automotive customers,” said Sumit Sadana, executive vice president and chief business officer at Micron. “With our industry leadership in both DRAM and NAND technology, Micron is in an excellent position to leverage the growth in memory and storage, which are expected to be the fastest growing segments in the semiconductor industry over the next decade.”
Micron的1αDRAM节点将促进更高的，可靠的内存解决方案，并为需要一流的LPDRAM性能的移动平台提供更快的LPDDR5操作速度。Micron的创新使该行业最低的移动DRAM带来了15％的功率节省，1允许5G移动用户在其智能手机上执行更多任务，而无需牺牲电池寿命。
Micron的高级内存节点可支持从8GB到16GB的密度，提供灵活性，以维持Micron当前的DDR4和LPDDR4产品中的许多产品，同时为Micron的服务器，客户端，网络和嵌入客户提供了所需的力量，可靠，可靠，扩展的产品支持。这种寿命降低了他们自己的产品生命周期内客户必需的成本。它还可以确保在用例情况下，在系统寿命中获得更好的总拥有成本，例如嵌入式汽车解决方案，工业PC和Edge服务器通常具有更长的寿命。
可用性
Micron的台湾工厂已经开始生产1α节点DRAM的数量，从计算客户和关键的消费者PC DRAM产品开始。Micron还开始向移动客户进行采样LPDDR4以获得资格。该公司将在2021年日历中根据该技术引入其他新产品。
