如果这是真的……那么它可能是DDR4内存中最快的速度之一。
AMD的第三代Ryzen（3000系列）处理器将克服较旧的Ryzen芯片面临的大量内存限制。使用ZEN 2，该公司决定将内存控制器与CPU内核分离为一个单独的芯片，称为“ IO Die”。我们的居民Ryzen Memory Guru Yuri“ 1usmus” Bubliy是Ryzen的DRAM计算器的作者，发现了技术信息，证实了AMD正在取得了多少进展。
在内存超频方面，第三代Ryzen处理器将能够匹配其Intel的同行。在ZEN 2 BIOS中，内存频率选项一直延伸到“ DDR4-5000”，这比第一个Ryzens大幅增加。DRAM时钟仍然与无穷大织物（如果）时钟域相连，这意味着在DDR4-5000处，Infinity Fabric也将以5000 MHz DDR滴答。由于该速率无法实现，因此AMD已决定为其芯片巴士添加新的1/2分隔模式。启用后，它将以dram实际时钟的一半运行无穷大织物（例如：DDR4-5000的1250 MHz）。
这可能会变成AMD X570芯片组主板的额外卖点，因为它们将具有基于旧芯片组的记忆频率头部空间优势，因为它们的BIOS不仅包括增加的内存时钟限制，还包括分隔线模式。当然，这并不意味着您只能将任何内存套件神奇地超频到这5 GHz速度 - 很可能只有最好的最佳模块才能接近这些速度。
1usmus还发现该平台添加了SOC OC模式和VDDG电压控制。我们从几个来源听到了AMD在改善内存兼容性方面投入大量资金，尤其是在三星停止其B-DIE DRAM芯片之后。
来源：TPU
