电池技术一直在发展多年的缓慢,这严重地限制了移动设备的处理能力。最近的充电技术的进步减轻一点负担,。功能,如高通的快速充电意味着你可以得到一个实质性的权力增加充电器只有一点时间。高通刚刚宣布第四代的收费标准,而这一次的震动。
过去的版本的高通快速充电都是基于自己的标准,这有点和USB规范。3.0和更早的QC修改通风装置电压和源角色的针连接器支持其专有的充电方法。结果是,快速充电快,但它也可能会导致市场混乱和更多危险的电池电压随着时间的推移它继续推动更多快速充电的每个修订。
谷歌最近更新Android兼容定义文档(CDD)牛轧糖出来强烈反对非标准快速充电系统,如高通。CDD现在强烈建议设备制造商不使用螺钉USB标准充电方法,这可能会成为一个需求在未来版本的Android。忽略这可能阻止硬件的认证对谷歌应用程序。幸运的是,快速充电4是基于标准的USB电源交付(USB-PD)和USB c类型规范。
快速充电4将835年即将到来的Snapdragon SoC的一个特征,同时宣布。虽然,高通是保持一些细节在这里接近胸部。金鱼草835使用三星的14 nm FinFET过程,包括面积增加30%效率更高的性能为27%,相应的能源消耗减少40%。这将是一个octa-core芯片通过改进Kyro 200定制CPU核和一个更新的促GPU。
如果你研究过充电器就找出哪一个能够快速充电的手机,这将会是一种解脱。不同波段的快速充电适配器应该或多或少的可互操作的。没有不寻常的硬件特性,使快速充电4比标准USB-PD青睐的谷歌吗?高通表示,版本的快速充电使用一个系统被称为智能谈判最优电压(INOV)。应该协商收费速度更高效和考虑你的电池的温度。电池的温度应该是5度冷却器相比平均3.0快速充电。这是一个好事的post-Note 7世界。
高通表示,快速充电4比3.0版本快20%,尽管同样的18 w评级为旧版本。效率也提高了30%,这意味着你可以在更短的时间获得更多的权力。高通说五分钟的收费让你大约5小时的使用,但这只是速度最快的充电电池时几乎耗尽。快速充电4设备将通过三个层次的充电速度如果他们配备835年金鱼草。芯片不会在手机直到明年初,这就是当第一个设备快速充电4到达。
来源:ExtremeTech
