今天，《自然》杂志发表了一篇关于下一代逻辑设备的研究论文，作者是来自英特尔、加州大学伯克利分校和劳伦斯伯克利国家实验室的研究人员。本文介绍了一种由英特尔公司发明的磁电自旋轨道(MESO)逻辑器件。与今天的互补金属氧化物半导体(CMOS)相比，当结合超低睡眠状态电源时，MESO器件具有降低5倍电压和10-30倍能量的潜力。虽然英特尔正在追求CMOS的扩展，但该公司一直致力于计算逻辑选项，这将在下一个十年出现在超越CMOS时代，推动计算能源效率，并允许性能在不同的计算架构中增长。
“我们正在寻找超越cmos时代的革命性，而不是进化的计算方法。MESO是围绕低压互连和低压磁电而建立的。它将量子材料创新与计算结合在一起。我们对我们所取得的进展感到兴奋，并期待着未来的演示，进一步降低开关电压，使其更接近其潜力，”英特尔高级研究员、技术和制造集团探索集成电路组主任Ian Young说。
英特尔研究人员发明了MESO设备，考虑到未来计算需求的内存、互连和逻辑需求。该MESO器件在英特尔公司使用室温下具有突发量子行为的量子材料，以及由加州大学伯克利分校和劳伦斯伯克利国家实验室的Ramamoorthy Ramesh开发的磁电材料制作了原型。MESO还利用了Albert Fert在Unité Mixte de体格CNRS/Thales上描述的自旋轨道转导效应。
“MESO是一种用室温量子材料制成的设备，”英特尔功能电子集成与制造科学技术中心高级科学家兼主任Sasikanth Manipatruni说。“这是一个可能性的例子，希望能引发工业、学术界和国家实验室的创新。许多关键材料和技术还有待开发，以实现新型的计算设备和架构。”
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